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2SJ656中文资料

2SJ656图片

2SJ656外观图

  • 大小：34.19KB
  • 厂家：SANYO [Sanyo Semicon Device]
  • 描述：General-Purpose Switching Device
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 100 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：- 18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：58 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220ML
  • 封装：Bulk
  • 功率耗散：2 W

2SJ656供应商

更新时间:2023-01-03 13:15:06
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